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首页 >  场效应三极管
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MOSFETPMF170XP,115 优势

场效应三极管

原装现货QQ2850389402技术:Si安装风格:SMD/SMT封装/箱体:SOT-323-3通道数量:1Channel晶体管极性:P-ChannelVds-漏源极击穿电压:20VId-连续漏极电流:1ARdsOn-漏源导通电阻:200mOhmsVgsth-栅源极阈值电压:650mVVgs-栅极-源极电压:4.5VQg-栅极电荷:2.6nC最小工作温度:-55C最大工作温度:+150CPd-功率耗散:360mW配置:Single通道模式:Enhancement封装:CutTape封装:MouseReel封装:Reel产品:MOSFETSmallSignal 晶体管类型:1P-Channel 商标:Nexperia 正向跨导-最小值:1.9S 下降时间:13ns 产品类型:MOSFET 上升时间:16ns 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:31ns 典型接通延迟时间:10ns 单位重量:5mg

NEXPERIA

北京天阳诚业科贸有限公司上海分公司

北京天阳诚业科贸有限公司上海分公司

联系方式 : 05347058298

24000

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MOSFIR12N65FG 优势

场效应三极管

FIRST

深圳市福斯特半导体有限公司

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联系方式 : 15818510774

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STP7N60STP7N60 优势

场效应三极管

TO-220

ST

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FQPF7N80FQPF7N80 优势

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FSC

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IRFP250NIRFP250N 优势

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TO-247

IR

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IR

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IRFB17N20IRFB17N20 优势

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TO-220

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FQPF9N30FQPF9N30 优势

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FQPF9N30 封装:TO-220 9A300V全新原装,柜台现货 老中发1165柜

FSC

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BUK555-200ABUK555-200A 优势

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BUK555-200A 厂家:NXP 封装:TO-220 14A200V 全新原装柜台现货

NXP

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场效应管IPD09N03 优势

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英飞菱

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IR

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IRFP140IRFP140 优势

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IR

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IRF624AIRF624A 优势

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FSC

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FAI 仙童

北京利芯尔科技发展有限公司

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IXYS 艾赛斯

北京利芯尔科技发展有限公司

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FUJI

北京利芯尔科技发展有限公司

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GBJ2510 正GBJ2510 正

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扁快速

SEP

北京利芯尔科技发展有限公司

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K2645 散K2645 散

场效应三极管

TO-220F

FUJI

北京利芯尔科技发展有限公司

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BCR30GMBCR30GM

场效应三极管

模块MU211

MAT

北京利芯尔科技发展有限公司

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148

1+ ¥62572720.00

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